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PSMN5R0-80BS,118  与  IPB067N08N3 G  区别

型号 PSMN5R0-80BS,118 IPB067N08N3 G
唯样编号 A-PSMN5R0-80BS,118 A-IPB067N08N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.7mΩ
上升时间 - 66ns
栅极电压Vgs 3V 20V
封装/外壳 SOT404 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A 80A
配置 - Single
输入电容 6793pF -
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
下降时间 - 8ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3840pF @ 40V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 73µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 270W 136W
输出电容 913pF -
典型关闭延迟时间 - 31ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
Rds On(max)@Id,Vgs 5.1mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
200+ :  ¥12.3522
400+ :  ¥10.1248
800+ :  ¥8.8041
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥12.3522 

阶梯数 价格
200: ¥12.3522
400: ¥10.1248
800: ¥8.8041
0 当前型号
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